معنی impurity semiconductor

مهندسی برق

impurity semiconductor

نیمه رسانای ناخالصی نیمه رسانایی که ویژیگی های آن را ترازهای ناخالصی مربوط به اتمهای بیرونی تعین می کند

اصلاح و بهبود

نام شما(اختیاری)

ایمیل شما(اختیاری)

اصلاحیه یا پیشنهاد شما: مانند پیشنهاد معنی جدید، رفع اشکال تایپی و املایی

موارد مشابه با اصطلاح تخصصی انگلیسی impurity semiconductor

complementary metal - oxide semiconductor

نیمه رسانای فلز - اکسید مکمل ( سی ماس ) ترکیبی از ماسفت های مد - افزایشی کانال - p و کانال - n روی تراشه سیلیسیمی که به صورت مدارهای رقمی پوش - پول مکمل متصل شده اند اتلاف توان کم در حالت ایستا و سرعت بالا از جمله ویژگیهای آن است

complementary metal-oxide-semiconductor

نیمه‌رسانای اکسید فلزی مکمل

compound semiconductor

نیمه رسانای مرکب نیمه رسانایی که در ساختمان آن به جای یک عنصر مانند سیلیسیم یا ژرمانیم ، ترکیبی از دو یا چند عنصر به کار رفته است نیمه رساناهای گروlll-v با استفاده از عناصر سه ظرفیتی گروه سوم جدول تناوبی ( مانند آلومینیم ، گالیم ، واندیم ) و عناصر پنج ظرفیتی گروه پنجم (مانند فسفر ، آرسنیک ، و آنتیموان) ساخته می شوند ترکیبهای دوتایی دارای دو عنصر ، ترکیبهای سه تایی درای سه عنصر و ترکیبهای چهارتایی دارای چهار عنصر در ساختمان خود هستند

cubic semiconductor

نیمه رسانای مکعبی نوعی نیمه رسانا که محور های ساختار بلوری آن ( z,y,x ) به یکدیگر عمود هستند و در نتیجه فاصله ی اتمها در هر جهت یکسان است

dinary compounnd semiconductor

نیمرسانای مرکب دوتایی نیم رسانایی که از ترکیب دو عنصر ساخته می شود ، نظیر گالیم آرسناید گالیم فسقاید ترکیبهای دو دویی ساده ترین ترکیبهای نیم رسانا به لحاظ ساخت محسوب می شوند

doped semiconductor

نیمه هادی آلاییده

double-diffused metal-oxide semiconductor

نیمرسانای اکسید - فلز دو نفوذی [دی ماس] روشی برای ساخت نیمرساناهای اکسید-فلز که طی آن از طریق یک ماسک دو مرحله نفوذ ناخالصی صورت می گیرد هر دو نوع ترانزیستور مد- افزایشی و مد- تخلیه ای را می توان با این روش ساخت به دلیل کوتاه بودن زمانهای نفوذ ، طول کانال در حد لازم برای دیود ترانزیستورهای ریزموج و مدارهای منطقی سریع کوتاه می ماند

extrinsic semiconductor

نیمرسانای غیر ذاتی نیمرسانایی که ویژگیهای الکتریکی آن به ناخالصیها یا ناکامیلیهای بلور ، نیمرسانای غیر ذاتی نیمرسانایی که ویژگیهای الکتریکی آن به ناخالصیهای افزوده شده به بلور آن بستگی دارد بر خلاف نیمرسانا ی ذاتی که ویژگیهای آن مربوط به بلور کامل ایده آل است ، نیمه هادی غیر ذاتی

impurity

ناخالصی

impurity activation energy

انرژی آکتیوایی ناخالصی

impurity addition

افزودن ناخالصی

impurity atom

اتم ناخالصی

impurity charge

بار ناخالصی

impurity concentration

غلظت ناخالصی

impurity density

چگالی ناخالصی

impurity diffusion

نفوذ ناخالصی

impurity distribution

توزیع ناخالصی

impurity doping

تزریق ناخالصی

impurity element

عنصر ناخالصی

impurity ion

یون ناخالصی

impurity level

تراز ناخالصی تراز انرژی که بر اثر اتمهای ناخالصی تشکیل می شود

impurity profile

نامیه ی ناخالصی نمودار تغییرات تراکم آلاینده ها در یک ویفر سیلیسیمی یا گالیم آرسنیدی

impurity scattering

پراکنش ناخالصی پراکنده شدن الکترونها به وسیله ی اتمهای ناخالسی بلور

impurity; dopant

ناخالصی؛ آلاینده ماده ای نظیر بر ، فسفر ، یا آرسنیک که در مقادیر کم به بلور نیمه رسانا اضافه می شود و الکترونهای اضافی (ناخالصی دهنده) یا حفره های اضافی (ناخالصی پذیرنده)تولید می کند

intrinsic semiconductor , l-type semiconductor

نیمه رسانای ذاتی و نیمه رسانای نوع I نیمه رسانایی که ویژگیهای الکتریکی آن اساساً مخصوص بلور ایده آل خالص است در شارش جریان آن الکترونها و حفره ها به تعداد تقریباً مساوی مشارکت دارند ف در نتیجه ماده نه نوع N و نه نوع P است

intrinsic semiconductor

نیمرسانای ذاتی

ionic semiconductor

نیمرسانای یونی

metal - oxide semiconductor

نمیرسانای اکسید - فلزی ساختار فلز - عایق - نیمرسانا در لایه عایق اکسیدی بر روی ماده ی زیر ساخت در زیر ساخت سلیسیمی لایه عایق ساز دی اکسید سیلیسیم است ترانزیستورهای اثر میدان ، خازنها ، مقاومتهاو قطعات نیمرسانای دیگری با این ساختار ساخته می شود فرایند MOS شامل CMOS , DMOS, NMOS, PMOS می شود

metal- insulator semiconductor

نیمرسانای فلز - عایق ساختار نیمرسانایی که در آن یک لایه عایق ، معمولاً با ضخامت کسری از میکرومتر ، پیش از ایجاد اتصالهای فلزی بر روی زیر ساخت نیمرسانا نشانده می شود این لایه می تواند ناحیه اثر میدانی در سطح ماده نیمرسانا ایجاد کند کاربرد آن در خازنها ، دیودها ، ترانزیستورهای اثر میدان ، دیودهای نورافشان ، قطعات میکرواستریپ ، و رکتورها و قطعات نیمرسانای دیگر است

metal- nitride - oxide semiconductor

نیمه رسانای فلز - نیترید - اکسید ساختار نیمرسانایی که یک لایه عایق ( به جای عایق گیت دی اکسید سیلیسیم که معمولاً در ساختارهای نیمرسانا فلز - اکسید به کار می رود ) دارد معمولا ً ، لایه ای از دی اکسید سیلیسیم در نزدیکترین لایه به زیر ساخت سیلیسیمی ، همراه بالایه ای از نیترید سیلیسیم بر روی آن قرار می گیرد قابلیت لایه عایق دوتایی د ذخیره کردن بارها آن را برای استفاده در ارایه های ترانزیستوری حافظه ، خازنها و قطعات نیمرسانای دیگر مناسب ساخته است

mixed semiconductor

نیمرسانای مخلوط

n type semiconductor

نیمه هادی نوع n

n-type semiconductor

نیمرسانای نوع N نیمرسانایی که چگالی حفره های آن در باند ظرفیت کمتر از چگالی الکترونهای آن در باند هدایت است ماده نوع N با افزودن ناخالصیهای دهنده ( آلایش ) مانند آرسنیک یا فسفر - به ساختار بلور سیلیسیم ساخته می شود ، نیم رسانای الکترونی

organic semiconductor

نیمرسانای آلی ماده آلی که دارای رسانایی زیاد غیر معمولی است رسانایی این ماده اغلب در حضور گازهای خاصی افزایش می یابد و ویژگیهای دیگر شبیه به نیمرساناها دارد آنتراسن نمونه ای از این مواد است

oxide semiconductor

نیمه رسانای اکسیدی

p type semiconductor

نیمه هادی نوع p

power semiconductor

نیمرسانای قدرت نیمرسانایی که قادر به تلف کردن توانی بیش از 1W در عملکرد عادی است این قطعه می تواند جریانهایی تا هزاران آمپر یا ولتاژهای تا هزاران ولت را ، در بسامدهایی تا 10KHz تحمل کند

p-type semiconductor

نیرمرسانای نوع P نیمرسانای نوع P که تجمع حفره های متحرک آن بیش از حد است ، نیمرسانای نوع P نوع ماده نیمرسانا که چگالی حفره های آن در باند ظرفیت است ماده نوع p با افزودن آلاینده های پذیرنده ساخته می شود مانند آلایش سیلیسیم بابور ، نیم رسانای حفره ای

quaternary componund semiconductor

نیمرسانای مرکب چهار تایی نیمرسانای ساخته شده از ترکیب چهار عنصر مانند ایندیم ، گالیم ، آرسنیک و فسفر برای تشکیل ایندیم گالیم ارسنید فسفی (ingaasp ) ترکیبهای چهارتایی به طور رونشانی روی زیر ساختهایی با ترکیب دوتایی رشد داده می شوند

Semiconductor

نیمه هادی

wide bandgap semiconductor

نیمه رسانای با شکاف باند بزرگ

دیکشنری تخصصی انگلیسی به فارسی مهندسی برق بر اساس حروف الفبا

A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z

دیکشنری تخصصی فارسی به انگلیسی مهندسی برق بر اساس حروف الفبا

آ | ا | ب | پ | ت | ث | ج | چ | ح | خ | د | ذ | ر | ز | ژ | س | ش | ص | ض | ط | ظ | ع | غ | ف | ق | ک | گ | ل | م | ن | و | ه | ی |

اگر این اصطلاح تخصصی مهندسی برق از انگلیسی به فارسی مفید بود آن را با دوستان خود به اشتراک بگذارید

درباره دیکشنری تخصصی برساد

دیکشنری تخصصی برساد برای استفاده دانشجویان، پژوهشگران و استادان رشته های مختلف طراحی شده است. استفاده از خدمات دیکشنری تخصصی برساد کاملا رایگان است.

ارزان و با کیفیت

می خوای متن تخصصی مهندسی برق رو برات ترجمه کنیم؟ سریع کلیک کن

همراه با ضمانت و گارانتی

ارزان، با کیفیت، با مجوز رسمی و گارانتی، با بیش از 7 سال تجربه

معنی impurity semiconductor

موارد مشابه با اصطلاح تخصصی انگلیسی impurity semiconductor

دیکشنری تخصصی انگلیسی به فارسی مهندسی برق بر اساس حروف الفبا

دیکشنری تخصصی فارسی به انگلیسی مهندسی برق بر اساس حروف الفبا

دیکشنری تخصصی به تفکیک دپارتمان ها و رشته ها

دیکشنری تخصصی فنی مهندسی

دیکشنری تخصصی علوم انسانی

دیکشنری تخصصی علوم پایه

دیکشنری تخصصی علوم پزشکی

دیکشنری تخصصی هنر

دیکشنری تخصصی کشاورزی

درباره دیکشنری تخصصی برساد

تماس با ما