معنی insulated-gate bipolar transistor

مهندسی برق
insulated-gate bipolar transistor
ترانزیستور دو قطبی گیت - عایق ( آی جی بی تی ) قطعه ای نیمه رسانا ، چهارلایه ، و پرتوان با ترکیبی از مشخصه های ماسفت توان و تریستور در این قطعه یک ترانزیستور ( پی ان پی ) به صورت زوج شبه دارلینگتون با یک ماسفت کانال ( ان ) بسته می شود یک جی فت داخلی نیز بیشتر ولتاژ را بر می دارد و سبب می شود ماسفت داخلی ولتاژ نامی کمتر ومقاومت ( وصل ) درین به سوسه ( آر دی اس ) بصورت ( on) کوچکتری نسبت به ماسفتهای مشابه داشته باشد این امر امکان کار در مدارهای با ولتاژ بیش از 300ولت را می دهد سطح مقطع آن مشابه با ماسفت توان است به جز در مورد بستر p بتوان مثبت که باعث تشابه بیشتر عملکرد ( آی جی بی تی ) با ترانزیستور های دو قطبی می شود تا ماسفتهای توان با استفاده از این قطعه در منابع تغذیه قطع و وصلی ، می توان تبدیل DC به AC انجام داد و یک موتور یا وسیله ی الکتریکی را راه انداخت
اصلاح و بهبود
موارد مشابه با اصطلاح تخصصی انگلیسی insulated-gate bipolar transistor
a.f. transistor
ترانزیستور فرکانس صوتی
active-matrix thin-film transistor
ترانزیستور پوسه -نارک ماتریس - فعال ( ای ام تی اف تی ) ماتریس نماسشگری که برای قطع و وصل پیکسلهای تصویر از هزاران ترانزیستور پوسه - نازک ، نوعاًسیلسیم بی شکل ، استفاده می کند
all transistor
تمام ترانزیستور
alloyed transistor
ترانزیستور با آلیاژ
annular transistor
ترانزیستور حلقوی ترانزیستوری که نواحی نیمرسانای مشخصه ی آن به صورت دوایر هم مرکز در اطراف امیتر ساخته می شوند
avalanche transistor
ترانزیستوری تجمع (بهمن) ذره ای
bipolar transistor
ترانزیستوردو قطبی
carbon nanotube field effect transistor
ترانزیستور اثر میدانی نانولولۀ کربنی
charge-storage transistor
دیود ذخیره- باری نوعی دیود نیمه رسانا که زمان خاموشی آن به دلیل انباشت بار به میزان قابل توجهی افزایش یافته است
complementary unijunction transistor
ترانزیستور تک پیوندی مکمل [ سی یوج تی ] نوعی قطعه نیمه رسانا با مشخصات شبیه به ترانزیستور های تک پیوندی استاندارد و با این تفاوت که قطبیت ولتاژها و جریانهای اعمال شده به آن مخالف یکدیگر است
conductivity - modulation transistor
ترانزیستور مدوله کننده ی - رسانندگی ترانزیستوری که ویژگیهای فعال آن بر اساس مدوله کننده مقاومت حجمی نیمه رسانا توسط حامل های اقلیت است
depletion - mode transistor
ترانزیستور تخلیه ای ترانزیستور اثر - میدانی ( جی فت ) ، فت فلز - اکسید ( ماسفت ) ، با فت فلز نیمرسانا ( مسفت ) از نوع در حالت عادی وصل که اگر پتانسیل سورس و گیت آن یکسان و بایاس گیت آن صفر باشد ، هدایت می کند برای افزایش جریان درین درفت کانال -N باید بایاس مثبت و برای قطع و ایجاد تنگش باید بایاس منفی به آن وارد شود عکس این عمل درفت کانال P باید انجام enhancement mode transistor
depletion transistor
ترانزیستور نوع تهی
Dielectric modulated junctionless tunnel field effect transistor
ترانزیستور اثر میدان تونلی بدون پیوند دی الکتریک مدوله¬شده با شکاف گیت مبتنی بر بار پلاسما
diffused-junction transistor
ترانزیستور پیوند- نفوذی ترامزیستوری که الکترودهای امیتروکلکتور آن به وسیله ی نفوذ ناخالصی فلز به پولک نیم رسانا و بدون گرمایش آن ساخته می شود
diffused-mesa transistor
ترانزیستور مزا- نفوذی نوعی ترانزیستور پیوند - نفوذی که در آن ناخالصی نوع ان به یک طرف پولک نوع پی نفوذ داده می شود سپس پیوند پی ان مربوط به امیتر از طریق آلیاژ کردن یا نفوذ ناخاصی نوع پی به سطح ان جدید تشکیل می شود بعد از زدن اتصالها ، نواحی نفوذی نامطلوب زدوده می شوند و قله ای سر تخت موسوم به مزا به وجود می آید
diode connected transistor
ترانزیستور اتصال دیودی
diode -connected transistor
ترانزیستور اتصال- دیودی نوعی ترانزیستور پیوندی دو قطبی که بین و کلکتور آن به هم متصل شده است و دیود را به وجود می اورند معمولاً در مدارهای مجتمع نیز دیود با اتصال کوتاه دو سر ترانزیستور ساخته می شود
discrete transistor
ترانزیستور تکی ترانزیستوری با بسته بندی مستقل و پایه هایی برای اتصال به بیرون گاهی برای تطبیق گرمایی ، دو ترانزیستور روی یک پولک ساخته می شوند روج ترانزیستوری دارلینگتون نیز به عنوان قطعه تکی شناخته می شود
double-diffused transistor
ترانزیستور دونفوذی ترانزیستوری که در آن دو پیوندPN با نفوذ گاز ناخالصی از هر دو نوع PوN در پولک نیمرسانا ساخته می شوند ناحیه ذاتی را نیز می توان به وجود آورد
enhancement transistor
ترانزیستور افزایشی
epitaxial diffused-junction transistor
ترانزیستور پیوند- نفوذی رونشستی نوعی ترانزیستور پیوندی که از رشد لایه نازک نیمرسانا با خلوص بالا بر روی نیمرسانایی از همان نوع ولی با ناخالصی شدید به دست می آید
epitaxial diffused-mesa transistor
ترانزیستور مزا- نفوذی نوعی ترانزیستور مزا نفوذی که در آن یک لایه رونشستی با مقاومت ویژه بالا روی بستر نشانده شده و به عنوان کلکتور عمل می کند
field- effect phototransistor
ترانزیستور اثر - میدانی که سیگنال ورودی آن نور مدوله شده است اثر نور مشابه با اعمال ولتاژ سیگنال به گیت ترانزیستور است
field effect transistor
ترانزیستور اثر میدان
field- effect transistor
ترانزیستور اثر میدانی [ فت] نوعی ترانزیستور تک قطبی و کنترل شونده با ولتاژ که تنها بر اساس حرکت یک نوع باربر کار می کند : الکترون یا حفره دارای سه الکترود به نامهای سورس ( source) ، درین(drain) ، و گیت (gate) است جریان فت در یک کانال ( channel ) رسانا بین سورس و درین واقع در زیر ناحیه ی گیت جاری می شود؛ فتهای کانال ان با بایاس مثبت گیت و فتهای کانال - پی با بایاس منفی گیت هدایت می کنند دو نوع فت مشهور عبارت اند از فت پیوندی ( جی فت) و فت فلز - اکسید ( ما فت)
footer transistor
ترانزیستور فوتر
four - layer transistor
ترانزیستور چهار - لایه نوعی ترانزیستور پیوندی که با داشتن چهار منطقه ی هدایت دارای فقط 3 سر است تریستور نمونه ی آن است
four layer transistor
ترانزیستور چهار لایه
germanium transistor
ترانزیستور ژرمانیمی ترانزیستوری که از ماده ی نیمه رسانای ژرمانیم ساخته شده است
grown- diffused transistor
ترانزیستور رشدی - نفوذی نوعی ترانزیستور پیوندی که پیوندهای نهایی آن از طریق نفوذ ناخالصیها در نزدیکی یک پیوند رشدی تشکیل می شوند
header transistor
ترانزیستور هدر
high-electron mobility transistor
ترانزیستور با تحرک الکترونی بالا [ همت] نوعی ترانزیستور فت پیوندی با ساختار ناهمگون که در واقع گونه ای مسفت ( MESFET) است این اصطلاح ابتدا توسط شرکت فوجیتسو ( FUJITSU) به کار رفته است
intrinsic - junction transistor
ترانزیستور پیوندی ذاتی نوای ترانزیستور چهار لایه که دارای یک لایه ی نیمه رسانای ذاتی ( نوع 1 ) بین مناطق بیس و کلکتور است ، نظیر ترانزیسترهای ، NPIP , PNIN , NPIN , PNIP
junction field-effect transistor
ترانزیستور اثر - میدانی پیوندی [ جی فت] ترانزیستور سه لایه ی تک قطبی که تنها بر مبنای حرکت بابر الکترون یا حفره - کار می کند در ترانزیستور به طور عادی وصل هر گاه ولتاژ درین ( drain) در جی فت کانال - N نسبت به سورس ( source) مثبت و یا در جی فت کانال _ P نسبت به سورس منفی باشد ، جریان از کانال ( channel) عبور خواهد کرد جریان کانال توسط ولتاژ گیت gate کنترل می شود برای ایجاد تنگش و ممانعت از عبور جریان باید ولتاژ گیت نسبت به سورس در جی فت کانال -N ، منفی و در جی فت کانال -P مثبت باشد بر خلاف ماسفت که در آن ولتاژ گیت به دو سرعایق اعمال می شود ، در جی فت ولتاژ گیت به کانال بین دو سر پیوند PN وارد می شود ، ترانزیستور اثر - میدانی پیوندی [ جی فت] ترانزیستور سه لایه ی تک قطبی که تنها بر مبنای حرکت بابر الکترون یا حفره - کار می کند در ترانزیستور " به طور عادی وصل " هر گاه ولتاژ درین ( drain) در جی فت کانال - N نسبت به سورس ( source) مثبت و یا در جی فت کانال _ P نسبت به سورس منفی باشد ، جریان از کانال ( channel) عبور خواهد کرد جریان کانال توسط ولتاژ گیت gate کنترل می شود برای ایجاد "تنگش " و ممانعت از عبور جریان باید ولتاژ گیت نسبت به سورس در جی فت کانال -N
junction transistor
ترانزیستور پیوندی ، ترانزیستور پیوندی یک ترانزیستور دو قطبی که لایه ی میانی بیس آن بین نواحی امیتر و کلکتور قرار گرفته است و توسط پیوندهای PN از آنها جدا می شود انواع مهم ترانزیستورهای پیوندی عبارت اند از پیوند - رشدی ، پیوند - آلیاژی ، نفوذی ( نظیر مزا و صفحه ای ) و رونشستی
Junctionless transistor
ترانزیستور بدون پیوند
lateral transistor
ترانزیستور افقی ؛ ترانزیستور جانبی ترانزیستوری که پیوندهای امیتر - بیس و کلکتور - بیس آن در نواحل جداگانه تشکیل می شود و جریان بین پیوندها از طریق صفحه ای موازی با سطح جاری می شود
low power transistor
ترانزیستور کم توان
magnetotransistor
مغناطوترانزیستور نوعی ترانزیستور دو قطبی با دو کلکتور که به عنوان حسگر میدان مغناطیسی طراحی شده است و دو نوع دارد : مغناطوترانزیستور عمودی ( VTM ) که به جاری شدن عمودی حاملها برای عملکرد مغناطیسی خود وابسته هستند و مغناطوترانزیستور افقی ( LTM) که به جاری شدن افقی حاملها برای پاسخ مغناطیسی وابسته هستند وقتی که میدان مغناطیسی به هر دونوع قطعه اعمال می شود نیروی لورنز بر روی حاملهای جاری عمل می کند و سبب انحراف آنها می شود
merged transistor
ترانزیستور ادغام شده
mesa transistor
ترانزیستور مسا ترانزیستوری که پولک سیلیسمی یا ژرمانیمی آن به صورت طبقات رو به پایین زدوده می شود ، به طوری که نواحی بیس و امیتر به صورت صفحات فیزیکی بالای ناحیه کلکتور به نظر آیند
metal - semiconductor filed - effect transistor
ترانزیستور اثر میدان نیمرسانا - فلزی ترانزیستور اثر میدان که گیت فلزی آن به طور مستقیم روی کانال نیمرسانای آن ساخته شده است ، به طوری که مانند یک دیودشاتکی عمل می کند این ترانزیستور با MOSFET که کیت آن با لایه عایق اکسید از کانال آن جدا شده است ، فرق دارد MESFET از مواد گروه V-III مانند گالیم آرسنید (GaAs) یا ایندیم فسفید (INP ) ساخته می شود
metal-oxide semicondujctor field - effect transistor , insulated - gate field effect transistor
ترانزیستور اثر میدان نیمرسانا ی اکسید - فلزی ، ترانزیستور اثر میدان باکیت عایق شده ترانزیستور اثر میدان ولتاژ - رانشی با یک گیت فلزی عایق شده - اکسید یا جند بلوری عملکرد ترانزیستور تک قطبی بر اساس حرکت یک حامل اکثریت ( الکترونها در نوع N حفره ها در نوع P ) است و مانند ترانزیستور دو قطبی هر دوحامل در آن حرکت نمی کنند ولتاژکنترل کننده گیت MOSFET به جای آن که مانند JFET به دو سر پیوند PN اعمال شود به ناحیه کانال متقاطع با لایه عایق اعمال می شود گیت با دی اکسید سیلیسیم یا نیترید سیلیسیم عایق شده است MOSFET می تواند P کانال یا N کانال باشد و در مد تخلیه ای یا مد افزایشی عمل کند MOSFET ها شامل منطق دیجیتال CMOS ها یا BICMOSها نیز می شوند MOSFET به دلیل وجود عایق بین سورس و درین آن توان کمتری را درین مصرف می کند فرایند ساخت آن ساده تر از JFET است از سیلیسیم به طور اقتصادی استفاده می کند و اتصالهای داخلی آن در یک تراشه ساده تر است
microwave transistor
ترانزیستور ریز موج ترانزیستوری که در بسامدهای ریز موج کار می کند ترانزیستورهای دو قطبی و اثر میدان ، هر دو ، می توانند به گونه ای ساخته شوند که در این قسمت از طیف بسامد کار کنند ترانزیستورهای ی ریز موج ، FET های گالیم آرسنید یا NPN سیلیسیمی مسطح هستند که ابعاد آنها در حدود میکرومتر است
mixer transistor
ترانزیستور مخلوط کننده ترانزیستوری که فقط وظیفه تبدیل بسامد بدل را در گیرنده سوپر هترودین انجام می دهد نوسان ساز محلی جداگانه ای تغذیه توان یا ولتاژ این ترانزیستور را تامین می کند
modulation - doped field - effect transistor
ترانزیستور اثر میدان مدوله سازی ترانزیستوری که ساختار آن شبیه به MOSFET است MOSDFET واژه ای است که در دانشگاه اپلی نویز ، کرنل و صنایع هانی ول به کار برده می شود و معنایی شبیه به HEMT TEGFET یا SDHT دارد
n channel transistor
ترانزیستور کانال N
npip transistor
ترانزیستور NPIP ترانزیستور پیوندی ذاتی که ناحیه نیمرسانای ذاتی آن بین دو ناحیه P قرار دارد
npn transistor
ترانزیستور NPN ترانزیستتور دو قطبی دو پیوندی که از کلکتور و امیتر سیلیسیمی نوع N و بیس نوع P تشکیل می شود بیرا قرار گرفتن در حالت هدایت باید امیتر آن نسبت به بیس منفی و کلکتور آن نسبت به بیس مثبت باشد
p channel transistor
ترانزیستور کانال P
pass-gate transistor
ترانزیستور گیت‌عبور
passivated transistor
ترانزیستور غیر فعال ترانزیستوری که با استفاده از غیر فعال سازی در برابر بروز اشکالهای زودهنگام و پیش از استفاده از آن ، حفاظت شده است
phototransistor
ترانزیستور نوری ، ترانزیستور نوری ترانزیستوری پیوندی که ممکن است فقط پایه های کلتور و امیتر یا پایه بیس هم داشسته باشد که بیس آن از طریق یک عدسی ریز در برابر تابش نور قرار می گیرد جریان کلکتور در نتیجه تقویت جریان بیس در ساختار ترانزیستور ، با شدت نور افزایش می یابد ، فتوترانزیستور
planar junction transistor
ترانزیستور پیوندی تخت ترانزیستور پیوندی شبیه به ترانزیستورپیوندی انتشاری نفوذ آلاینده ها در محلهای معین و با پوشاندن قسمتهایی از سطح پولک با اکسیدی مانند دی اکسید سیلیسیم انجام می شود این فرایند غیر فعال سازی سطح نامیده می شود
pnin transistor
ترانزیستور PNIN ترانزیستور پیوندی ذاتی که لایه نیمرسانای ذاتی آن بین دو ناحیه N قرار دارد
pnip transistor
ترانزیستور PNIP ترانزیستور پیوندی ذاتی که لایه نیمرسانای ذاتی آن بین ناحیه نوع P بیس و ناحیه نوع N کلکتور قرار دارد
pnp transistor
ترانزیستور PNP ترانزیستور پیوندی دو قطبی نیمرسانا باکلکتور و امیتر نوع P و بیس نوع N تقویت جریان در قطعه با تزریق حفر ها از امیتر بهبیس و به دنبال آن ، جمع شدن حفره ها در کلکتور انجام می شود
point-contact transistor
ترانزیستور اتصال نقطه ای ترانزیستوری که دارای یک الکترود بیس و دو یا چند اتصال نقطه ای نزدیک به هم در سطح نیمرسانای نوع N است فشار این نقاط حجم کوچکی از ماده نیمرسانای نوع P را درزیر هر نقطه ایجاد می کند تا پیوندهای لازم را برای ترانزیستور PNP به وجود آورند این فناوری منسوخ شده است
power bipolar transistor
ترانزیستور توان دو قطبی ترانزیستور دو قطبی پیوندی که قادر به کار با جریانها 1A یا بیشتر بدون صدمه دیدن یا خراب شدن است بعضی از این نوع ترانزیستورها می توانند ولتاژهایی تا 1200 V را بپذیرند ترانزیستور توان دو قطبی کاربردهایی در منابع تغذیه سوییچینگ رگوله شده و کنترل موتورها دارد
power transistor
ترانزیستور قدرت ، ترانزیستور قدرت MOSFET یا ترانزیستور دو قطبی پیوندی که قادر به تحمل جریانهای 1A یا بیشتر بدون صدمه دیدن و خراب شدن باشد ، ترانزیستور توان
programmable unijunction transistor
تزانزیستور تک قطبی قابل برنامه ریزی قطعه PNPN ( تریستور ) دارای گیت آند قطعه به ازای ولتاژ گیت ثابت خاموش یا در حالت غیر هدایت باقی می ماند تاولتاژ آند به مقدار از پیش تعیین شده ای بیش از ولتاژ گیت برسد در این نقطه قطعه روشن می شود این عملکرد شبیه به عملکرد سوییچ کنترل شده سیلیسیمی است
pseudomorphic high-electron mobility transistor
ترانزیستور شبه بلوری با قابلیت تحریک الکترونی بالا ترانزیستور قدر RF گالیم -آرسنید ( GaAs) دارای لایه اپتیکسیال خاص رشد داده شده بر روی GaAs برای بهینه سازی قطعه در ولتاژهای پایین و بالا بردن بازده آن برای تلفنهای همراه و مودمهای RF
pull down transistor
ترانزیستور پایین کشنده
pull up transistor
ترانزیستور بالا بر
pull-down transistor
ترانزیستور پایین‌بر
rate-grown transistor; graded-junction transistor
ترانزیستور رشد داده شده تدریجی ؛ ترانزیستور پیوندی طبقاتی ترانزیستور پیوندی که در آن هر دو نوع ناخالصی ( مانند گالیم و آنتیمونی ) در یک زمان در دانه قرار داده می شوند و دما به طور ناگهانی کم و زیاد می شود تا لایه های نوع N و P پیوندهای رشد داده شده تدریجی تشکیل شوند
resistor - transistor
منطق مباومت - ترانزیستور منطقی که شامل مقاومت و ترانزیستور است ولی ترانزیستورها فقط خروجی را معکوس می کنند
schottky-clamped transistor
ترانزیستور جهش - شاتکی مدار منطقی که شامل دیود سد شاتکی برای جلوگیری از اشباع است و در نتیجه سرعت سوییچینگ بالاتری دارد این ساختار در بعضی از منطقهای ترانزیستور- ترانزیستور ( TTL) و منطق تزریق مجتمع ( Iبه توان دو L) به کار می رود
selectively doped ture heterostruc transistor
ترانزیستور با ساختار ناهمگون و آلایش انتخابی ترانزیستور اثر میدان با ساختار ناهمگون و آلایش انتخاب نام اختصاری آن در آزمایشگاهها AT&T و بل ابداع شده است ، ترانزیستور با ساختار ناهمگون و آلایش انتخابی ترانزیستور اثر میدان با ساختار ناهمگون و آلایش انتخاب نام اختصاری آن در آزمایشگاهها AT&T و بل ابداع شده است
selicon - diffused epitaxial mesa transistor
ترانزیستور سیلیسیم - نفوذی اپیتکسیال مزا ترانزیستور سیلیسیم ، دارای مقادیر مجاز ولتاژ و توان بالا همراه با زمان ذخیره و ولتاژ اشباع کم
selicon epitaxial planar transistor
ترانزیستور مسطح اپیتکسیال سیلیسیمی ترانزیستور سیلیسیمی ساخته شده با پردازش اپیتکسیال همراه با آلایش طلا در فرایندی که امکان ساخت هزاران ترانزیستور را همزمان روی یک پولک سلیسیم فراهم میکند
silicon - gate transistor
حسگر تصویر سیلیسیمی دوربین تلویزیونی حالت جامدی که دارای قطعه تزویج شده بار به جای ویدیکن یا لامپ دوربین دیگر است تصویر وری آرایه ای که می تواند از 480 و 163 عنصر تصویر تشکیل شده باشد ، کانونی می شود بار هر عنصر متناسب با نوری است که روی آن می افتد بارها به صورت الکترونیکی از عناصر گرفته می شوند و همانند سیگنالهای استاندارد تلویزیونی به خروج دوربین داده می شود
small- outine transistor
ترانزیستور با پایه های کوچک ببسته پلاستیکی برای نصب سطحی قطعات نیمرسانای مجزا
sruface - passivated transistor
ترانزیستور غیر فعال شده سطحی ترانزیستوری که در برابر آب ، یونها و شرایط محیطی دیگر با غیر فعال سزی مجحافظت شده است ترکیب محافظی به طور شیمیایی در اطراف سطح بلور نیمرسانا قرار داده می شود
surface - charge transistor
ترانزیستور بار سطحی عنصر ترانزیستوری مدار مجتمع که بر اساس کنترل کردن انتقال بارهای الکرتیکی ذخیره شده در امتداد سطحی نیمرسانا عمل می کند
symmetrical transistor
ترانزیستور متقارن ترانزیستور پیوندی که الکترونهای امیتر وکلکتور آن یکی هستند بنابر این می توان آنها را جابه جا کرد
tetrode transistor
ترانزیستور تترود ترانزیستور چهار پایه
thin-film transistor
ترانزیستور پوسه- نازک ترانزیستورهای سیلیسیمی آمورف در صحنه های نمایش بلور مایع ماتریسی فعال که خطوط سطر ( نشانی ) و ستون ( داده ) ماتریس را کنترل می کنند این ترانزیستورها ولتاژی را به ماده LCD اعمال می کنند که در راستای الکترودهای مشترک و صفحه نمایش ، خازنهایی را برای ذخیره کردن ولتاژ در طول مدت زمان هر قاب تشکیل می دهد
transistor
ترانزیستور
two-dimensional electron gas field- effect transistor
ترانزیستور اثر میدان گازی الکترونی دو بعدی ترانزیستور اثر میدان دارای گاز - الکترون دو بعدی نام مخفف آن از شرکت تامسون -CSF است
unijunction transistor
ترانزیستور تک پیوندی ، ترانزیستور تک پیوندی قطعه پیوندی PN که امیتر آن به یک طرف پیوند PN سیلیسیمی و اتصالهای دوبیس آن به طرف دیگر پیوند متصل است این قطعه را می توان با فرایند سطح ، با هر الکترود در یک طرف تراشه سیلیسیمی ساخت ترانزیستور تک پیوندی دارای مشخصه مقاومت منفی پایدار در محدوده دمایی گسترده است UJT قطعه سوییچینگ ابتدایی است

دیکشنری تخصصی انگلیسی به فارسی مهندسی برق بر اساس حروف الفبا

A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z

دیکشنری تخصصی فارسی به انگلیسی مهندسی برق بر اساس حروف الفبا

آ | ا | ب | پ | ت | ث | ج | چ | ح | خ | د | ذ | ر | ز | ژ | س | ش | ص | ض | ط | ظ | ع | غ | ف | ق | ک | گ | ل | م | ن | و | ه | ی |
اگر این اصطلاح تخصصی مهندسی برق از انگلیسی به فارسی مفید بود آن را با دوستان خود به اشتراک بگذارید

دیکشنری تخصصی به تفکیک دپارتمان ها و رشته ها

دیکشنری تخصصی فنی مهندسی

مهندسی برق مهندسی عمران مهندسی كامپيوتر و IT مهندسی مکانیک مهندسي شيمی مهندسی صنايع مهندسی پليمر مهندسی پزشکی مهندسی نفت مهندسی معدن مهندسی مواد مهندسی شهرسازی مهندسي نساجی مهندسی هوافضا مهندسی ایمنی صنعتی مهندسی اپتیک و لیزر مکاترونیک مهندسی دریا علوم مهندسی مهندسی خودرو

دیکشنری تخصصی علوم انسانی

حسابداری مديريت روانشناسی حقوق علوم اقتصادی تربيت بدنی و علوم ورزشی علوم تربيتی فلسفه زبان و ادبيات فارسی علوم ارتباطات اجتماعی مديريت جهانگردی مديريت اجرايی علوم سياسی تاريخ علوم اجتماعی علوم جغرافيايی مجموعه محيط زيست باستان شناسی زبانشناسی الهیات و معارف اسلامی علوم قضایی

دیکشنری تخصصی علوم پایه

زيست شناسی شيمی فیزیک ریاضی و آمار زمين شناسی ژئوفيزيك و هواشناسی نانوفناوری علوم کامپیوتر

دیکشنری تخصصی علوم پزشکی

پزشكی بيوتكنولوژی پرستاری داروسازی علوم آزمايشگاهی دامپزشكی دندانپزشكی

دیکشنری تخصصی هنر

معماری معماری داخلی

دیکشنری تخصصی کشاورزی

مجموعه مهندسی كشاورزی مجموعه مهندسی منابع طبيعی

درباره دیکشنری تخصصی برساد

دیکشنری تخصصی برساد برای استفاده دانشجویان، پژوهشگران و استادان رشته های مختلف طراحی شده است. استفاده از خدمات دیکشنری تخصصی برساد کاملا رایگان است.

تماس با ما


Telegram: @Barsadic
وبلاگ برساد

×
می خوای مقاله ISI مهندسی برق رو برات ترجمه کنیم؟ سریع کلیک کن